La firme japonaise Kioxia a récemment annoncé une mémoire DRAM 3D à haute densité et faible consommation. La technologie promet une RAM plus rapide et moins gourmande en énergie, mais sa production pour le grand public n’arrivera pas avant plusieurs années.
Le fabricant japonais Kioxia dévoile une avancée technique autour de la mémoire DRAM. L’entreprise a mis au point des transistors à canal semi-conducteur à oxyde empilables qui permettent de superposer jusqu’à huit couches de cellules mémoire. Selon le communiqué de presse, cette configuration offre un courant de conduction supérieur à 30 microampères et un courant de fuite inférieur à 1 attoampère. Ces caractéristiques devraient réduire la consommation d’énergie et augmenter la densité mémoire par unité de volume. L’entreprise prévoit d’orienter cette technologie vers les serveurs d’IA et les appareils IoT.
